是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区而不在接触面。
欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：
1、金属与半导体间有低的界面能障。
2、半导体有高浓度的杂质掺入前者可使界面电流中热激发部分增加；后者则使界面空乏区变窄，电子有更多的机会直接穿透欧姆接触，无适当的金属可用，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质。
